本部分采用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS法测定聚合物、金属和电子件中的汞。

本部分规定了电子电气产品中汞（Hg）含量的测定。这些材料可以是聚合物、金属及电子件（如：印刷线路板、荧光灯、汞开关）。含汞电池参照参考文献[1]进行处理。国际实验室方法研究仅对塑料的检测方法进行了评估，而未涉及其他类型的基体。

本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品是什么样的、以及如何获得样品，由执行检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量，如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。值得注意的是，样品的选择和/或确定可能影响检测结果的解释。

本部分描述了四种方法的使用，即CV-AAS（冷蒸气原子吸收光谱法）、CV-AFS（冷蒸气原子荧光光谱法）、ICP-OES（电感耦合等离子体发射光谱法）和ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法），以及几种制备样品溶液的方法，可以从中选择最合适的分析方法。

用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS测定目标元素-汞，具有高准确性（不确定度小）和/或高灵敏度（检出限低至?g/kg水平）的特点。本章描述的测试步骤可以测定4 mg/kg～1000 mg/kg含量范围内的汞，且准确度和**度高。这些方法也适用于更高含量汞的测定。

采用热分解-金汞齐结合CV-AAS（TD（G）-AAS）的方法无需样品消解，也可用于汞的直接测定。由于样品量少，检出限会高于其它方法。